[18a-A34-1~9] CS.5 3.10 フォトニック構造・現象、3.12 半導体光デバイスのコードシェア

11:00 〜 11:15

[18a-A34-6] 異種材料集積波長可変レーザのしきい値電流における1.55µm帯QD-RSOAの素子長依存性の検討

〇(M2)松木 太翼¹、松本 敦²、中島 慎也²、梅沢 俊匡²、Cheng Chih-Hsien²、赤羽 浩一²、山本 直克²、川西 哲也¹ (1.早大理工、2.情通機構)

キーワード：

量子ドット、反射型半導体光増幅器、シリコンフォトニクス

本研究では，1.55μm帯における量子ドット反射型半導体光増幅器（QD-RSOA）のデバイス長依存性に関する報告がほとんどないことから，2重リング共振器構造のSiフォトニクス（SiPh）とQD-RSOAを用いた異種材料集積レーザのしきい値電流と，QD-RSOAのデバイス長の関係を評価したので報告する。