[18a-B5-1~10] 11.5 Junction and circuit fabrication process, digital applications

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[18a-B5-6] Growth of single-crystal Nb thin films by molecular beam epitaxy and quantum device application

〇Manabu Tsujimoto¹, Yoshiro Urade¹, Yuichi Fujita¹, Fumihiro China¹, Tomohiro Nozaki¹, Takayuki Nozaki¹, Kunihiro Inomata¹, Wataru Mizubayashi¹ (1.AIST)

Keywords:

Single-crystal thin film,Molecular beam epitaxy,Superconducting quantum device

高純度かつ欠陥の少ない超伝導体薄膜は、量子デバイスの性能向上に重要である。本研究では、分子線エピタキシー法を用いて3インチウエハ上にNb薄膜を作製した。R面サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長させた結果、結晶方位が揃った単結晶Nb薄膜の作製に成功した。作製したNb薄膜の超伝導転移温度は9.4 Kであり、残留抵抗比は40以上であったことから、薄膜が高純度かつ欠陥が少ないことが示された。