[18a-B5-1~10] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用

10:30 〜 10:45

[18a-B5-6] 分子線エピタキシー法による単結晶Nb薄膜の作製と量子デバイス応用

〇辻本 学¹、浦出 芳郎¹、藤田 裕一¹、知名 史博¹、野崎 友大¹、野崎 隆行¹、猪股 邦宏¹、水林 亘¹ (1.産総研)

キーワード：

単結晶薄膜、分子線エピタキシー法、超伝導量子デバイス

高純度かつ欠陥の少ない超伝導体薄膜は、量子デバイスの性能向上に重要である。本研究では、分子線エピタキシー法を用いて3インチウエハ上にNb薄膜を作製した。R面サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長させた結果、結晶方位が揃った単結晶Nb薄膜の作製に成功した。作製したNb薄膜の超伝導転移温度は9.4 Kであり、残留抵抗比は40以上であったことから、薄膜が高純度かつ欠陥が少ないことが示された。