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[18a-B6-9]Fabrication and characterization of carbon nanotube thin-film transistors with inorganic polymer insulator

〇(M1)Eito Kuromiya1, Haruki Uchiyama1, Masahiro Matsunaga2, Shunto Arai3, Hiromichi Kataura4, Yutaka Ohno1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.AIST)
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Keywords:

carbon nanotube thin-film transistor,low-frequency noise,inorganic polymer insulator

低トラップ準位密度の絶縁膜材料として期待される無機ポリマーをゲート絶縁膜に用いてフレキシブル CNT TFT を試作し、低周波雑音を評価した結果について報告する。無機ポリマー絶縁膜を用いた CNT TFT では、高いオン電流と急峻なサブスレッショルドスイングが得られた。また、1/f 雑音については、Al2O3絶縁膜を用いた素子と比べて、ノイズ電力密度はおよそ 50 %減少した。

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