[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-4] Evaluation of GaN/GaInN quantum wells grown by MOVPE by photothermal deflection spectroscopy

〇(M2)Tasuke Saito^1,2, Yuuki Arai^1,2, Takeyoshi Onuma², Tomohiro Yamaguchi², Tohru Honda², Masatomo Sumiya¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ)

Keywords:

GaInN,Photothermal deflection spectroscopy

我々はHe雰囲気でGaInN量子井戸構造を作製するとより高温でもInNモル分率を上げることができ、赤色(652 nm ±55 nm)での発光を確認することができた。この量子井戸からの発光をさらに高めたり半値幅を狭くしたりするためにはGaInN量子井戸層の構造を評価して高品質化していく必要がある。そこで、X線回折などの構造解析が困難なGaInN量子井戸をギャップ内欠陥準位や価電子帯裾状態を評価できる光熱偏向分光法(Photothermal deflection spectroscopy, PDS) で評価したので報告する。