[18p-A31-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[18p-A31-7] Generation and recovery of plasma-induced defects ~ annealing gas effects~

〇Shota Nunomura¹, Takayoshi Tsutsumi², Masaru Hori² (1.AIST, 2.Naogya Univ.)

Keywords:

SiO2/Si interface,annealing,defect recovery

先端半導体デバイスでは、酸化膜/シリコン（SiO₂/Si）界面における欠陥（例えば、格子欠陥、ダングリングボンドや不純物等）が、デバイス性能や信頼性の低下に深く関与する [1]。そのため、界面における欠陥の発生と修復を理解しこれらの欠陥を抑止することが必要である。界面欠陥は、通常、デバイス作製時の成膜、エッチング、アニール等のプロセスにより、意図せず導入されるが、その詳細は理解されていない。今回、Ar, O₂, H₂プラズマを熱酸化膜付きシリコンウエハに照射し、その後、異なるガス雰囲気（Ar, N₂, H₂）下でアニール（100-400℃）を施し、SiO₂/Si界面の欠陥の発生と修復を調査したので報告する。