[18p-A34-1~16] 3.10 Photonic structures and phenomena

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A34-14] Fabrication and optical excitation characteristics evaluation of InGaN/GaN-based topological PhC resonator structure

〇Hinaki Sugiura¹, Takuto Honda¹, Mirai Akimoto¹, Seiichi Kataoka¹, Hayato Kurata¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Semiconductor Research Inst.)

Keywords:

Nitride Semiconductor,Photonic Crystal,Topological

我々はこれまでにHEATE法と熱硝酸エッチングの組み合わせによりメンブレン型トポロジカルPhCを作製し、赤～青色のトポロジカルエッジ伝搬の観測に成功した。本研究ではサイズの異なるメンブレン型InGaN/GaN系トポロジカルPhCの共振器構造を作製し、光励起発光特性の評価を行った。