[18p-A34-1~16] 3.10 フォトニック構造・現象

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[18p-A34-14] InGaN/GaN系トポロジカルPhC共振器構造の作製と発光特性評価

〇杉浦 雛姫¹、本多 卓人¹、秋元 弥頼¹、片岡 生一¹、倉田 隼也斗¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研)

キーワード：

窒化物半導体、フォトニック結晶、トポロジカル

我々はこれまでにHEATE法と熱硝酸エッチングの組み合わせによりメンブレン型トポロジカルPhCを作製し、赤～青色のトポロジカルエッジ伝搬の観測に成功した。本研究ではサイズの異なるメンブレン型InGaN/GaN系トポロジカルPhCの共振器構造を作製し、光励起発光特性の評価を行った。