[18p-D62-1~17] CS.1 Code-sharing Session of 2.3 & 7.4

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[18p-D62-2] Dependence of Reactive Gas Partial Pressure and Substrate Temperature on Etching by GCIB Irradiation under a Reactive Gas Atmosphere

〇(M1C)Taichi Ito¹, Masaya Takeuchi¹, Noriaki Toyoda¹ (1.University of Hyogo)

Keywords:

gas cluster ion beam

我々の研究グループでは、反応性エッチングにおける新たな表面反応励起源として、GCIBを検討してきた。GCIBを用いたエッチングにおいて反応性ガス分圧や基板温度は重要なパラメータである。そこで、本研究では金属膜のエッチング量の反応性ガス分圧と基板温度依存性について検討を行った。