[18p-D62-1~17] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 イオンビーム一般のコードシェア

13:45 〜 14:00

[18p-D62-2] 反応性ガス雰囲気下GCIB照射によるエッチングのガス分圧および基板温度依存性

〇(M1C)伊藤 汰一¹、竹内 雅耶¹、豊田 紀章¹ (1.兵庫県立大学工)

キーワード：

ガスクラスターイオンビーム

我々の研究グループでは、反応性エッチングにおける新たな表面反応励起源として、GCIBを検討してきた。GCIBを用いたエッチングにおいて反応性ガス分圧や基板温度は重要なパラメータである。そこで、本研究では金属膜のエッチング量の反応性ガス分圧と基板温度依存性について検討を行った。