[18p-P02-1~30] 6.3 Oxide electronics

[18p-P02-1] Mist CVD growth of VO₂ thin films on c-plane and m-plane sapphire substrates

〇Osamu Kubo¹, Kento Ogasawara¹, Kazuki Ushioda², Hiroshi Tabata² (1.Gifu Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:

vanadium dioxide,mist CVD,Electrical resistance

ミストCVDによって金属絶縁体転移材料であるM-VO₂薄膜の作製を試みた。水溶媒を用いて600℃の電気炉内で成膜し、成膜後も窒素ガスを流し続け、電気炉から外して急冷、2 ºC/min での冷却、の2通りで冷却した。急冷では結晶多形であるB-VO₂が形成されたが、徐冷ではM-VO₂のみ形成された。急冷試料では明確なMITが見られなかったが、徐冷試料では40～90℃の間で約4桁の抵抗変化が見られた。