[18p-P02-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-P02-1] c面およびm面サファイアを基板としたVO₂薄膜のミストCVD成長

〇久保 理¹、小笠原 健斗¹、潮田 和季²、田畑 博史² (1.岐阜大工、2.阪大院工)

キーワード：

二酸化バナジウム、ミストCVD、電気抵抗

ミストCVDによって金属絶縁体転移材料であるM-VO₂薄膜の作製を試みた。水溶媒を用いて600℃の電気炉内で成膜し、成膜後も窒素ガスを流し続け、電気炉から外して急冷、2 ºC/min での冷却、の2通りで冷却した。急冷では結晶多形であるB-VO₂が形成されたが、徐冷ではM-VO₂のみ形成された。急冷試料では明確なMITが見られなかったが、徐冷試料では40～90℃の間で約4桁の抵抗変化が見られた。