[18p-P02-1~30] 6.3 Oxide electronics

[18p-P02-3] Transport properties in vanadium oxide thin films

〇Yuki Abe¹, Hideto Yanagihara¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:

Vanadium oxide,Magneli phase,Metal Insulator Transition

バナジウム酸化物(VO_X)におけるVO₂やV₂O₃は急峻な金属-絶縁体転移を起こし、スイッチング素子等への応用が期待されている。また、VO_Xにはマグネリ相やワズレイ相といった混合価数を持つ化合物相が存在することが知られており、バナジウムイオンの価数制御は困難を極める。本研究では、酸素流量のみをパラメータとしたスパッタリング法を用いて、Al₂O₃基板(0001)上にマグネリ相も含めたVO_X薄膜の作り分けを行い、各輸送特性を系統的に評価した。