[18p-P02-1~30] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-P02-3] バナジウム酸化物薄膜における輸送特性評価

〇阿部 友樹¹、柳原 英人¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

バナジウム酸化物、マグネリ相、金属絶縁体転移

バナジウム酸化物(VO_X)におけるVO₂やV₂O₃は急峻な金属-絶縁体転移を起こし、スイッチング素子等への応用が期待されている。また、VO_Xにはマグネリ相やワズレイ相といった混合価数を持つ化合物相が存在することが知られており、バナジウムイオンの価数制御は困難を極める。本研究では、酸素流量のみをパラメータとしたスパッタリング法を用いて、Al₂O₃基板(0001)上にマグネリ相も含めたVO_X薄膜の作り分けを行い、各輸送特性を系統的に評価した。