[18p-P02-1~30] 6.3 Oxide electronics

[18p-P02-5] Investigation of Synthesizing Conditions for Single Phase of (Pr_1–ySm_y)_1–xCa_xCoO₃ Film by KOH Flux Method

〇Ituski Yamamoto¹, Shuhei Funaki¹, Yasuji Yamada¹, Masahiro Tahashi², Yutaka Yoshida³, Yusuke Ichino⁴ (1.Shimane Univ., 2.Chubu Univ., 3.Nagoya Univ., 4.Aichi Inst.)

Keywords:

Metal-Insulator Transition,KOH

金属–絶縁体(M–I)転移特性を有する(Pr_1–yRE_y)_1–xCa_xCoO₃は、PrサイトへのRE, Ca置換量によって転移の有無や転移温度が変化することが知られている。KOHフラックス法により、出発原料のRE, Ca組成比を増加させて成膜を行ったところ、ブロードではあるがM–I転移特性が確認できた。しかしながら、異相であるCaCoPrO₄が同時に成膜されることが課題であった。合成温度を変えた成膜において、700ºCの膜では見られたCaCoPrO₄相が、600ºC以下の膜では消失した。