[19a-A35-1~11] 3.12 Semiconductor optical devices

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[19a-A35-11] Reactive Sputtering Deposition of Germanium Nitride Thin Films for Silicon Photonics Applications

〇(M1)Sou Okagaki¹, Jose A. Piedra-Lorenzana¹, Takeshi Hizawa¹, Keisuke Yamane¹, Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech.)

Keywords:

germanium nitride,reactive sputtering,silicon photonics

SiN_xリング光共振器が光周波数コム発生に用いられている。SiN_xは、（1）線形屈折率が約2.0と大きい、（2）波長1.31/1.55 µmにおいて二光子吸収がない、といった特長がある。一方、（3）3次非線形光学効果が小さく高Q値のリング共振器が必要である。シリコンフォトニクスで利用でき、より高い非線形光学効果を有する材料が望ましい。本研究では、手始めとして反応性スパッタリングによるGeN_xを検討した。