[19a-A35-1~11] 3.12 半導体光デバイス

11:45 〜 12:00

[19a-A35-11] シリコンフォトニクス応用に向けた窒化ゲルマニウム薄膜の反応性スパッタ堆積

〇(M1)岡垣 颯¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、山根 啓輔¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：

窒化ゲルマニウム、反応性スパッタリング、シリコンフォトニクス

SiN_xリング光共振器が光周波数コム発生に用いられている。SiN_xは、（1）線形屈折率が約2.0と大きい、（2）波長1.31/1.55 µmにおいて二光子吸収がない、といった特長がある。一方、（3）3次非線形光学効果が小さく高Q値のリング共振器が必要である。シリコンフォトニクスで利用でき、より高い非線形光学効果を有する材料が望ましい。本研究では、手始めとして反応性スパッタリングによるGeN_xを検討した。