[19a-A35-1~11] 3.12 Semiconductor optical devices

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[19a-A35-2] Near-infrared photodetector of Ge epitaxial layer on Si patterned substrate

〇Koki Tsutsumi¹, Mohd Faiz Bin Amin¹, Jose A. Piedra-Lorenzana¹, Takeshi Hizawa¹, Keisuke Yamane¹, Tetsuya Nakai², Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.SUMCO)

Keywords:

Germanium,Photodetector,Silicon photonics

Si上Ge層を用いた近赤外受光器はシリコンフォトニクスにおいて広く利用されている。SiとGeは約4%の大きな格子不整合があり、Ge層中に高密度の貫通転位が発生する。貫通転位はリーク電流を増加させるなど受光器動作の妨げとなる。我々のグループでは、Ge層をSiパターン基板上に成長させることで貫通転位密度を低減できることを報告している。今回はパターン基板上Ge層を用いた受光器を作製し、特性評価を行った。