[19a-A35-1~11] 3.12 半導体光デバイス

9:15 〜 9:30

[19a-A35-2] Siパターン基板上Geエピタキシャル層を用いた近赤外受光器

〇堤 光輝¹、Mohd Faiz Bin Amin¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、山根 啓輔¹、中井 哲弥²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.SUMCO)

キーワード：

ゲルマニウム、受光器、シリコンフォトニクス

Si上Ge層を用いた近赤外受光器はシリコンフォトニクスにおいて広く利用されている。SiとGeは約4%の大きな格子不整合があり、Ge層中に高密度の貫通転位が発生する。貫通転位はリーク電流を増加させるなど受光器動作の妨げとなる。我々のグループでは、Ge層をSiパターン基板上に成長させることで貫通転位密度を低減できることを報告している。今回はパターン基板上Ge層を用いた受光器を作製し、特性評価を行った。