[19a-D62-1~9] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-D62-5] Temperature Dependence of Broad Peaks Derived from Ge-rich SiGe Thin Films by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

〇Yuiha Maeda¹, Ryo Yokogawa^1,2, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL)

Keywords:

temperature dependence

SiGeは、Siよりも高いキャリア移動度を有し、合金散乱により熱伝導率が低い等の利点から、次世代デバイス材料として期待されている。そこで、SiGe薄膜の液浸ラマンスペクトルにおいて、Ge-Ge振動モードの低波数側に現れるブロードピークに着目し、熱特性との関係を明らかにするために温度依存性を評価した。その結果、温度の上昇に伴い、ブロードピークは低波数側へシフトし、明確な温度依存性を確認した。