[19a-P05-1~13] 3.8 Terahertz technologies

[19a-P05-1] MBE growth of 3 μm thick InGaSb/AlInGaSb THz-QCL structures

〇Hiroaki Yasuda¹, Norihiko Sekine¹, Iwao Hosako¹ (1.NICT)

Keywords:

QCL,InGaSb

GaSb基板上に厚さ3 μm のInGaSb/AlInGaSb テラヘルツ量子カスケードレーザの活性領域を分子線エピタキシー装置で成長した。QCL活性領域の貫通転位密度は9.7 × 10⁶ cm^{− 2}であった。