[19a-P05-1~13] 3.8 テラヘルツ全般

[19a-P05-1] 3 μm厚InGaSb/AlInGaSb THz-QCL構造のMBE成長

〇安田 浩朗¹、関根 徳彦¹、寳迫 巌¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：

量子カスケードレーザ、InGaSb

GaSb基板上に厚さ3 μm のInGaSb/AlInGaSb テラヘルツ量子カスケードレーザの活性領域を分子線エピタキシー装置で成長した。QCL活性領域の貫通転位密度は9.7 × 10⁶ cm^{− 2}であった。