[19p-B6-1~18] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[19p-B6-3] Sensitive Pressure Sensor Using Flexible Piezoelectric and Sharp Switching FET

〇(M2)Ryoma Shuto¹, Kiyoshi Nikaido¹, Satoru Inoue¹, Tatsuo Hasegawa¹ (1.Tokyo Univ.)

Keywords:

pressure sensor,piezoelectric,semiconductor

近年、ヒトの触覚機能を代替・拡張する力覚センサの開発が注目を集めている。なかでも信号増幅や集積化が容易であることからFETを利用した圧力センサの開発が期待されている。今回、フレキシブルな有機圧電体と層状有機半導体による高急峻スイッチングFETを組み合わせることにより高感度な圧力センサデバイスを試作した。