[19p-D62-1~17] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-D62-17] Development of high-efficiency thermal switching devices with heat pumping effect

〇(M2)Reiji Toida¹, Tsunehiro Takeuchi¹, Masaharu Matsunami¹, Keisuke Hirata¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:

thermal switching devices,lattice thermal conductivity,phase transition

我々はAg₂S_xSe_1-x材料を用いた熱流スイッチング素子において、相変態温度直下の領域で、顕著な素子表面の冷却現象（潜熱を起源とする熱ポンピング）を観察した。本研究では、この熱ポンピング現象に着目し、素子を構成する薄膜の組成、および、膜厚依存性を長い時間範囲で解析することで、最も良い熱流スイッチング特性を示す条件を探索した。