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[19p-D62-17]Development of high-efficiency thermal switching devices with heat pumping effect

〇(M2)Reiji Toida1, Tsunehiro Takeuchi1, Masaharu Matsunami1, Keisuke Hirata1 (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:

thermal switching devices,lattice thermal conductivity,phase transition

我々はAg2SxSe1-x材料を用いた熱流スイッチング素子において、相変態温度直下の領域で、顕著な素子表面の冷却現象(潜熱を起源とする熱ポンピング)を観察した。本研究では、この熱ポンピング現象に着目し、素子を構成する薄膜の組成、および、膜厚依存性を長い時間範囲で解析することで、最も良い熱流スイッチング特性を示す条件を探索した。

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