[19p-D63-1~7] 9.3 Nanoelectronics

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[19p-D63-3] Cu_1.8S Nanoplate Transistor

〇Haru Tanaka¹, Dongbao Yin¹, Seiichiro Izawa¹, Masaki Saruyama², Toshiharu Teranishi², Yutaka Majima¹ (1.Tokyo tech, 2.Kyoto Univ.)

Keywords:

transisitor,nano material

今回我々は、電子線リソグラフィ(EBL)によりギャップ長57 nm、ギャップ幅400 nmの白金ナノギャップ電極を作製した。対辺距離57 nm、厚さ7 nmの六方晶のCu_1.8Sナノプレートをナノギャップ電極間に導入し、トランジスタ特性を検討した。Cu_1.8Sナノプレートのナノギャップ電極間への導入は、分散溶液の基板への滴下により行った。Cu_1.8SナノプレートトランジスタのSEM像を観察したところ、凝集したCu_1.8Sナノプレートがナノギャップ電極間に導入されていた。Cu_1.8Sナノプレートトランジスタは、ゲート変調特性を示した。