[19p-D63-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

13:45 〜 14:00

[19p-D63-3] Cu_1.8Sナノプレートトランジスタ

〇田中 晴¹、Yin Dongbao¹、伊澤 誠一郎¹、猿山 雅亮²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東工大フロ研、2.京大化研)

キーワード：

トランジスタ、ナノ材料

今回我々は、電子線リソグラフィ(EBL)によりギャップ長57 nm、ギャップ幅400 nmの白金ナノギャップ電極を作製した。対辺距離57 nm、厚さ7 nmの六方晶のCu_1.8Sナノプレートをナノギャップ電極間に導入し、トランジスタ特性を検討した。Cu_1.8Sナノプレートのナノギャップ電極間への導入は、分散溶液の基板への滴下により行った。Cu_1.8SナノプレートトランジスタのSEM像を観察したところ、凝集したCu_1.8Sナノプレートがナノギャップ電極間に導入されていた。Cu_1.8Sナノプレートトランジスタは、ゲート変調特性を示した。