[19p-P06-1~50] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[19p-P06-9] Electron spin transport properties of semiconductor superlattice barriers under an applied electric field

〇Kohei Eto¹, Hiura Satoshi¹, Junichi Takayama¹, Agus Subagyo¹, Kazuhisa Sueoka¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

electron spin transport,semiconductor superlattice,application of electric field

本研究では、電子スピンの長距離保存輸送が可能な超格子バリアの電界印可フォトルミネッセンス測定を実施した。測定温度は室温である。＋4 Vの順方向バイアスを印可し、励起エネルギーを光学活性層近傍から超格子バリア上部のAlGaAsバリアへと変化させると、高いPL円偏光度を維持したまま発光強度は増加した。これはAlGaAsバリアで生成された電子スピンが超格子を介して光学活性層まで輸送されたことを示唆している。