[19p-P06-1~50] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[19p-P06-9] 電界印加下における半導体超格子バリアの電子スピン輸送特性

〇江藤 亘平¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、アグス スバギョ¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

電子スピン輸送、半導体超格子、電界印加

本研究では、電子スピンの長距離保存輸送が可能な超格子バリアの電界印可フォトルミネッセンス測定を実施した。測定温度は室温である。＋4 Vの順方向バイアスを印可し、励起エネルギーを光学活性層近傍から超格子バリア上部のAlGaAsバリアへと変化させると、高いPL円偏光度を維持したまま発光強度は増加した。これはAlGaAsバリアで生成された電子スピンが超格子を介して光学活性層まで輸送されたことを示唆している。