[19p-P07-1~13] 13.9 Compound solar cells

[19p-P07-1] GaInP growth on (111) substrates for III-V-on-Si solar cells

Yasushi Shoji¹, Ryuji Oshima¹, Akinori Ubukata², 〇Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:

III-V-on-Si solar cells,(111) substrates,GaInP

安価なSi 基板上へのIII-V 族太陽電池の作製を目指して、Si上にSiGe およびGeバッファ層を形成したのち、III-V 族材料を成長させる試みが検討されているが、基板には(111)面を用いる必要がある。本研究ではGaInP 層についてGe(111)基板上での成長を行い、SEM、EBSD分析視野内においてGaInP 層が(111)方向に成長していることを確認した。当日は表面モフォロジーや組成均一性なども含めて議論する。