[19p-P07-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[19p-P07-1] オンシリコンIII-V 族太陽電池に向けた(111)基板上のGaInP 成長

庄司 靖¹、大島 隆治¹、生方 映徳²、〇菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：

オンシリコンIII-V 族太陽電池、(111)基板、GaInP

安価なSi 基板上へのIII-V 族太陽電池の作製を目指して、Si上にSiGe およびGeバッファ層を形成したのち、III-V 族材料を成長させる試みが検討されているが、基板には(111)面を用いる必要がある。本研究ではGaInP 層についてGe(111)基板上での成長を行い、SEM、EBSD分析視野内においてGaInP 層が(111)方向に成長していることを確認した。当日は表面モフォロジーや組成均一性なども含めて議論する。