[19p-P07-1~13] 13.9 Compound solar cells

[19p-P07-2] Ultrafast HVPE growth of GaInP solar cells exceeding 100 μm/h

〇(M1)Keigo Kondo^1,2, Ryuji Oshima², Yasushi Syoji², Kikuo Makita², Yudai Shimizu³, Akinori Ubukata³, Hiroki Tokunaga³, Takeyoshi Sugaya², Yoshinobu Okano¹ (1.TCU, 2.AIST, 3.TNSC)

Keywords:

Solar cells,III-V compound semiconductors,Hydride Vapor Phase Epitaxy

HVPE法はIII-V族太陽電池の新たな低コスト製造方法として期待されている。GaInPトップセルの高速化を目的として、p-GaInPベース層の成長速度を36 μm/hから121 μm/hまで変化させたGaInP単接合太陽電池を作製し、評価した。全てのセルで約9.5%の変換効率、0.83以上のFFが得られ、GaInPセルとして最も高速な121 μm/hの高品質なセル動作に成功した。一方で、V_OCは36 μm/hの1.40 Vから121 μm/hでは1.34 Vと若干低下したが、これはキャリア濃度が低減したことが原因と考えられる。