[19p-P07-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[19p-P07-2] 100 μm/hを超えるGaInP太陽電池の超高速HVPE成長

〇(M1)近藤 圭悟^1,2、大島 隆治²、庄司 靖²、牧田 紀久夫²、清水 裕大³、生方 映徳³、徳永 裕樹³、菅谷 武芳²、岡野 好伸¹ (1.東京都市大、2.産総研、3.大陽日酸)

キーワード：

太陽電池、III-V族化合物半導体、ハイドライド気相成長

HVPE法はIII-V族太陽電池の新たな低コスト製造方法として期待されている。GaInPトップセルの高速化を目的として、p-GaInPベース層の成長速度を36 μm/hから121 μm/hまで変化させたGaInP単接合太陽電池を作製し、評価した。全てのセルで約9.5%の変換効率、0.83以上のFFが得られ、GaInPセルとして最も高速な121 μm/hの高品質なセル動作に成功した。一方で、V_OCは36 μm/hの1.40 Vから121 μm/hでは1.34 Vと若干低下したが、これはキャリア濃度が低減したことが原因と考えられる。