[20a-A34-1~11] 3.8 Terahertz technologies

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[20a-A34-6] Study on improving characteristics of MEMS resonators using p-type modulation doped GaAs/AlGaAs heterostructures

〇Kazuhiro Takahashi¹, Atsushi Nakanishi¹, Hiroshi Satozono¹, Naomi Nagai², Ya Zhang³, Kazuhiko Hirakawa² (1.HPK CRL, 2.IIS/INQIE, Univ. of Tokyo, 3.TUAT)

Keywords:

terahertz,MEMS resonator,bolometer

新たなテラヘルツ波検出器として、両持ち梁MEMS共振器構造のボロメータが開発されている。近年、p型変調ドープ GaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いた MEMS共振器が開発されたが、ウエハの構造上プロセスが難化するという問題があった。今回、ウエハ構造を改良することで、上記問題を解決したMEMS共振器を作製できたため報告する。