講演情報

[20a-A34-6]P型変調ドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたMEMS共振器の特性改善に関する検討

〇高橋 和宏1、中西 篤司1、里園 浩1、長井 奈緒美2、張 亜3、平川 一彦2 (1.浜ホト中研、2.東大生研・ナノ量子機構、3.東京農工大)
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キーワード:

テラヘルツ、MEMS共振器、ボロメータ

新たなテラヘルツ波検出器として、両持ち梁MEMS共振器構造のボロメータが開発されている。近年、p型変調ドープ GaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いた MEMS共振器が開発されたが、ウエハの構造上プロセスが難化するという問題があった。今回、ウエハ構造を改良することで、上記問題を解決したMEMS共振器を作製できたため報告する。

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