[20a-A41-1~10] CS.8 Code-sharing Session of 6.2 & KS.1

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[20a-A41-5] Analysis of band bending in hydrogen-terminated diamond using nitrogen-vacancy centers near the surface

〇Taisuke Kageura^1,2, Yosuke Sasama¹, Keisuke Yamada³, Kosuke Kimura^3,4, Shinobu Onoda³, Takahide Yamaguchi^1,5 (1.NIMS, 2.AIST, 3.QST, 4.Gumma Univ., 5.Tsukuba Univ.)

Keywords:

diamond,NV center,hydrogen-termination

水素終端ダイヤモンドの表面に誘起されるp型伝導は、その優れた特性からパワーエレクトロニクスや量子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、表面近くに形成した窒素・空孔(NV)センターを使った新しい手法によって、表面伝導の起因となるバンドベンディングの大きさが、従来考えられてきた仕事関数差ではなく表面アクセプタ密度によって律速される場合があることを明らかにした。