[20a-A41-1~10] CS.8 6.2 カーボン系薄膜、KS.1 固体量子センサ研究会のコードシェア

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[20a-A41-5] 水素終端ダイヤモンド表面下で生じるバンドベンディングのNVセンターを利用した律速要因解析

〇蔭浦 泰資^1,2、笹間 陽介¹、山田 圭介³、木村 晃介^3,4、小野田 忍³、山口 尚秀^1,5 (1.物材機構、2.産総研、3.量研、4.群馬大、5.筑波大)

キーワード：

ダイヤモンド、NVセンター、水素終端

水素終端ダイヤモンドの表面に誘起されるp型伝導は、その優れた特性からパワーエレクトロニクスや量子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、表面近くに形成した窒素・空孔(NV)センターを使った新しい手法によって、表面伝導の起因となるバンドベンディングの大きさが、従来考えられてきた仕事関数差ではなく表面アクセプタ密度によって律速される場合があることを明らかにした。