[20p-A22-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[20p-A22-11] Optical properties of selective-area-grown α-Ga₂O₃ on c-plane sapphire

〇Riena Jinno¹, Sangmin Ji², Natthajuks Pholsen¹, Hideo Otsuki¹, Satoshi Iwamoto^1,2 (1.RCAST Univ. Tokyo, 2.IIS Univ. Tokyo)

Keywords:

ultra-wide bandgap semiconductor,gallium oxide,optical properties

α-Ga₂O₃は超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つであり、高耐圧パワーデバイス応用が注目されている。α-Ga₂O₃は熱的に準安定相のため、600℃付近で最安定相のβ相への構造相転移が報告されており、高温プロセスへの耐性が課題であった。一方で、近年、選択成長やAlO_xキャップ層の導入により900℃以上の高温での構造安定化を報告しており、高温での熱処理を用いることでイオン注入による導電性制御や色中心の形成など点欠陥の制御が期待できる。本研究ではα-Ga₂O₃の新奇フォトニクス応用を目的として、高温での熱処理がα-Ga₂O₃の発光特性に与える影響について調べたので報告する。