[20p-A35-1~9] 3.12 Semiconductor optical devices

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[20p-A35-5] Rise Time Measurement of 10kV Class SiC Photoconductive Switch for Particle Accelerator

〇Taisuke Kawasaki¹, Hiromasa Yasuda¹, Mitsuhiro Yoshida^2,3,4, Vincent Yahia^4,3, Takunori Taira^3,4, Shigeya Kimura⁵, Chiharu Ota⁵, Hisao Miyazaki⁵ (1.Toshiba Energy Systems & Solutions Co., 2.KEK, 3.RIKEN, 4.IMS, 5.Toshiba Co.)

Keywords:

Photoconductivity,Switch,Particle Accelerator

光伝導スイッチは励起レーザの応答速度で高速に大電圧を制御でき、高速なパルスパワー電源やその応用利用が期待できる。粒子加速器分野では、光伝導スイッチで発生した大電圧の短パルス信号を粒子の加速電場に適用すれば放電が抑制でき、加速電場の向上、加速器の小型化につながる。今回、10kV級4H-SiC光伝導スイッチの高速応答性に着目し、応答速度を評価、20%-80%ライズタイム168psが測定された。