[20p-A35-1~9] 3.12 半導体光デバイス

14:30 〜 14:45

[20p-A35-5] 粒子加速器用10kV級SiC光伝導スイッチの応答速度評価

〇川崎 泰介¹、安田 浩昌¹、吉田 光宏^2,3,4、ヤヒア ヴァンサン^4,3、平等 拓範^3,4、木村 重哉⁵、太田 千春⁵、宮崎 久夫⁵ (1.東芝エネルギーシステムズ、2.高エネ研、3.理研、4.分子研、5.東芝)

キーワード：

光伝導、スイッチ、加速器

光伝導スイッチは励起レーザの応答速度で高速に大電圧を制御でき、高速なパルスパワー電源やその応用利用が期待できる。粒子加速器分野では、光伝導スイッチで発生した大電圧の短パルス信号を粒子の加速電場に適用すれば放電が抑制でき、加速電場の向上、加速器の小型化につながる。今回、10kV級4H-SiC光伝導スイッチの高速応答性に着目し、応答速度を評価、20%-80%ライズタイム168psが測定された。