[20p-P01-1~8] 6.2 Carbon-based thin films

[20p-P01-1] Fabrication and Evaluation of Normal-Off Diamond MESFETs toward the Development of Radiation-Resistant and High-Temperature Operating Digital Circuits

〇Asahi Okuno¹, Junichi H. Kaneko¹, Hitoshi Umezawa², Tadashi Masumura¹, Hiroyuki Kawashima², Toshiharu Makino² (1.Hokkaido Univ, 2.AIST)

Keywords:

diamond,semiconductor,MESFET

デジタル回路応用を目指してノーマリーオフ動作が期待できる表面伝導型ダイヤモンドMESFETの試作を行い、デバイス特性を室温～300℃、積算線量3MGyまで評価した。
室温ではノーマリーオフ動作を確認した。
300℃において最大I_DSは室温より60%減少した。しきい値は正にシフトし、ノーマリーオン動作を示すようになった。
X線照射に関して、積算線量1kGyから3MGyでノーマリーオフ特性は維持されたものの、最大I_DS、しきい値ともにばらつく結果となった。