[20p-P01-1~8] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-P01-1] 耐放射線性・高温動作デジタル回路開発に向けた
ノーマリーオフダイヤモンドMESFETの作製と評価

〇奥野 朝陽¹、金子 純一¹、梅沢 仁²、桝村 匡史¹、川島 宏幸²、牧野 俊春² (1.北大院工、2.産総研)

キーワード：

ダイヤモンド、半導体、MESFET

デジタル回路応用を目指してノーマリーオフ動作が期待できる表面伝導型ダイヤモンドMESFETの試作を行い、デバイス特性を室温～300℃、積算線量3MGyまで評価した。
室温ではノーマリーオフ動作を確認した。
300℃において最大I_DSは室温より60%減少した。しきい値は正にシフトし、ノーマリーオン動作を示すようになった。
X線照射に関して、積算線量1kGyから3MGyでノーマリーオフ特性は維持されたものの、最大I_DS、しきい値ともにばらつく結果となった。