[23a-31A-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[23a-31A-9] Band alignment of MgO polymorphs

〇Yuichi Ota¹, Takeyoshi Onuma², Shizuo Fujita³ (1.TIRI, 2.Kogakuin Univ., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:

Oxide semicondctor,Band alignment,First-principles calculation

MgOはバンドギャップが約7.7 eVという大きな値を持つことからキャリアドーピングが困難であると理解される。しかし、意外なことに一般的に酸化物が苦手とする正孔伝導が実験的に報告されている。このようなドーピングの傾向をバンドアライメントの観点から議論したい。