Presentation Information
[23p-12G-3]Evaluation of annealing resistance thin film deposition using ECR plasma sputtering method
〇Yoshihiro Shimazaki1, Kozue Tanaka1, Hironori Torii1 (1.JSW Afty Corporation)
Keywords:
ECR,sputtering,anneal
ECRスパッタ法でサファイア基板上にAlN膜を堆積し、1000 ℃から1600 ℃でアニール後の表面平坦性、結晶性、組成分析をAFM、XRD、XPSで分析し、耐熱性を評価した。その結果、基板温度250 ℃で堆積したAlN膜の平坦性はSq：0.37 nmであり、1300 ℃でアニールした後のAlN膜の平坦性はSq：0.33 nmと、アズデポのサンプルと同等の平坦性を保持する結果となった。ECRスパッタ法では、比較的低い温度で高温耐性のあるAlN膜を堆積することが可能であることが分かった。