[23p-32A-1~5] 17.2 Graphene

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[23p-32A-5] Light Intensity Dependence of Gr/n-Si Schottky Junction Solar Cell

〇(M2)Masahiro Teraoka¹, Hojun Im¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:

graphene,solar cell,semiconductor

本研究では、単層グラフェンを用いたグラフェン/シリコンショットキー接合太陽電池における発電性能の光強度依存性について、30日間にわたりIV特性とインピーダンス分光法を用いて調べた。その結果、時間経過によって曲線因子（FF）が減少する主な原因はGr/n-Siショットキー接合界面状態の悪化ではなく、直列抵抗成分の増大であること、また、光強度の弱いところではFFは直列抵抗の変化による影響を受けにくいことが示唆された。