Presentation Information
[23p-P04-3]Characterization and wireless driving of gallium nitride light-emitting diodes
〇Yamato Yoshii1, Kouichi Wani1, Vikrant Kumar2, Oliver Durnan2, Ioannis Kymissis2, Sin-ichi Yamamoto1,2 (1.Ryukoku Univ., 2.Columbia Univ.)
Keywords:
GaN
発光ダイオード(LED:Light Emission Diode) は、p-n 接合に電流を流して発光させる半導 体発光素子で、半導体材料の違いで紫外、可 視、赤外域のさまざまな波長の光を発光させ ることができる。また MicroLED は、高輝度、 高エネルギー効率、低コスト、長寿命という 優れた組み合わせを提供する。本研究では、 GaN デバイスに蛍光体層を成膜することで、 発光ダイオードの輝度に与える影響につい て調べた。