[24a-61A-1~7] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[24a-61A-6] Evaluation of Intrinsic Field-effect Mobility in High-mobility Oxide Thin-film Transistors

〇Takanori Takahashi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:

oxide semiconductor,thin-film transistor

伝送線モデル (TLM) に基づいたチャネル抵抗法によって、In₂O₃系高移動度酸化物半導体材料 (µ_Hall > 100 cm²/Vs) を用いたトップコンタクト/基板ゲート型薄膜トランジスタの真性電界効果効果移動度を算出した。本手法を用いることで、チャネル長偏差および接触抵抗に起因する電圧降下成分を補正した際の移動度を評価できる。本発表ではゲート絶縁膜容量、チャネル幅とチャネル長偏差、寄生抵抗成分を補正することで、真性電界効果移動度約90cm²/Vsを示す酸化物薄膜トランジスタを得たため、この基本的な電気的特性も合わせて紹介する。