Presentation Information
[24a-P10-1]Thermionic Emission Characteristics and Surface Conditions of Cs and Oxygen Adsorbed n-type AlGaN
〇Kai Namura1, Shigeya Kimura2, Hisao Miyazaki2, Akihisa Ogino1 (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Research & Development Center, Toshiba Corp.)
Keywords:
Cesium,Thermionic Emission,n-type AlGaN
ワイドバンドギャップ半導体のAlGaNは、セシウム(Cs)と酸素の共吸着により負の電子親和力状態を得ることができるため、熱電子エネルギー変換器への応用が期待できる。本研究では、Csと酸素で表面活性化したSiドープn型AlGaN表面からの熱電子放出特性を実測し、特定の表面再構成と熱電子放出成分との相関を考慮した新しい熱電子放出モデル（Modified Richardson-Dushman Model）を用いて、熱電子放出に対する動的な表面変化の影響の再現を試みた。