Presentation Information
[24a-P12-1]Theoretical Investigation of HfGe alloys for Light Emitting Device Applications
〇Yuta Sasaki1, Yamato Kyuno1, Yasuhiko Ishikawa1, Keisuke Yamane1 (1.Toyohashi Tech.)
Keywords:
Light Emitting Device,First-principles Calculation
光通信デバイスを集積する技術としてシリコンフォトニクスが注目されているが、Si, Ge等のIV族系半導体は間接遷移型であることから、Si基板に集積化可能な発光素子は実用化に至っていない。本研究では、この課題解決に向けて新たに遷移金属元素（Hf）とGeの混晶に着目し、第一原理計算による解析を通して発光デバイス応用に向けた基礎検討を行った上で、HfGeの共晶実験を通して混晶化を試みたため報告する。