[24p-31A-1~14] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[24p-31A-3] Effects of Threshold Voltage Variation and Electron Injection Noise of FG Technology based Stochastic Neurons on Stochastic Resonance Characteristics

〇Akira Goda¹, Chihiro Matsui¹, Ken Takeuchi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

summing network,floating gate memory,stochastic resonance

フローティングゲート(FG)型技術を用いた確率的ニューロンデバイスにおいて、ネットワークおよびデバイスパラメータが確率共鳴特性に与える影響をシミュレーションにより解析した。空間的ばらつきであるニューロン間のしきい値ばらつきと時間的ゆらぎである電子注入ノイズの影響を、信号検知精度と消費エネルギーの観点から比較し、時間的ゆらぎである電子注入ノイズの優位性が示す結果を得た。