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[24p-31A-6]Classification Method of ReRAM Current Fluctuation by CNN and Physical Model of Fluctuation

〇Ayumu Yamada1, Naoko Misawa1, Chihiro Matsui1, Ken Takeuchi1 (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

ReRAM,current fluctuation,physical model

本研究では、抵抗変化型メモリ(ReRAM)のゆらぎ現象の解析のため、畳み込みニューラルネットワーク(CNN)を用いたゆらぎパターン分類器(Fluctuation Pattern Classifier, FPC)を提案し、これを用いて測定電流データの分類・解析を行った。また、解析結果に基づきTaOX ReRAMにおけるゆらぎの物理モデルを考察した。